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元件参数资料
>
参数目录40531
> ZXMC3AMCTA MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN
型号:
ZXMC3AMCTA
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
ZXMC3AMCTA PDF
标准包装
1
系列
-
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.9A,2.1A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
120 毫欧 @ 2.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
3.9nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
190pF @ 25V
功率 - 最大
1.5W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装
8-DFN(3x2)
包装
标准包装
其它名称
ZXMC3AMCTADKR
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